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| 인텔 오레곤주 D1X 팹에서 인텔 엔지니어들이 하이-NA EUV 장비를 사용하고 있다.(사진=인텔) |
미국 반도체 기업 인텔이 1nm(나노미터, 10억분의 1m)대 칩 양산에 하이(High)-NA EUV(극자외선) 노광장비를 사용할 계획이다. 하이-NA EUV는 2나노 이하 초미세 공정에 필수적인 최신 장비로, 지난해 말 인텔에 사상 처음 납품됐다.
인텔은 지난 15일 미디어라운드테이블을 통해 하이-NA EUV 장비 적용 기술 현황을 공개했다.
인텔은 지난해 말 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹에 하이-NA EUV 장비인 ‘트윈스캔 EXE:5000’ 을 들인 바 있다. 이 장비는 대당 가격이 3억8000만달러(약 5240억원)에 달하는 초고가 장비다. 인텔 외에도 삼성전자, TSMC 등 선단공정을 구현한 파운드리 업체들이 확보에 나서고 있다.
인텔은 하이-NA EUV 장비를 14A(1.4나노) 반도체 공정부터 본격적으로 적용할 계획이라고 밝혔다.
마크 필립스 인텔 펠로우는 “하이-NA EUV를 테스트하고 생산 공정에 설치하고 있다”며 “2025년부터 양산이 가능할 것 같다”고 했다.
인텔이 하이-NA EUV를 활용할 시 기존 EUV에 비해 훨씬 미세한 공정이 가능할 것으로 보인다. 이를 통해 예상되는 반도체 집적도 향상률은 2.9배다. 하이-NA EUV가 없는 삼성전자, TSMC와 새산성에서 차이를 벌릴 수 있는 것이다.
삼성전자와 TSMC는 오는 2027년에야 하이-NA EUV를 도입할 것으로 관측된다. 인텔보다 2년 늦는 셈이다. 파운드리 레퍼런스가 없는 인텔이 하이-NA EUV 장비 도입에 가장 먼저 나선 이유다.
한편 하이-NA EUV의 제조사 네덜란드 ASML은 지난 17일(현지시간) 올해 1분기 실적발표에서 “두번째 하이-NA EUV를 고객사에 공급했다”고 밝힌 바 있다. 고객사는 삼성전자 또는 TSMC로 예상된다.
전화평 기자 peace201@viva100.com 기자의 다른기사보기 >
