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| SK하이닉스 PKG제품개발 담당 이규제 부사장.(사진=SK하이닉스 뉴스룸) |
SK하이닉스가 차세대 패키징 기술을 통해 HBM(고대역폭메모리) 1위 리더십을 유지한다는 계획을 공개했다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당(부사장)은 5일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰를 통해 “미래 시장에 대비하기 위해 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층을 포함한 WLP(웨이퍼 레벨 패키징) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단했다”고 설명했다. TSV는 여러 개의 D램에 수 천개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해주는 기술이다. 20여년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 상업화에 성공하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등을 문제로 누구도 선뜻 개발에 나서지 못한 탓이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 HBM에 TSV 기술을 적용하며 상용화에 성공한 바 있다.
HBM을 최초로 개발했지만, 시장과 고객이 만족할 만한 수준으로 끌어올린 것은 로드맵에 따라 개발하던 MR-MUF(매스리플로우몰디드언더필) 기술을 적용한 HBM2E(3세대) 제품부터다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이다.
이 부사장은 “개발진을 믿고 기다려준 경영진과 고객 덕분에 결국 당사 고유의 기술인 MR-MUF가 성공적으로 세상에 나올 수 있었다”면서 “이를 통해 품질과 성능 측면에서 매우 안정적인 HBM2E의 양산과 공급이 가능해졌다”고 설명했다.
SK하이닉스는 MR-MUF를 한 번 더 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’를 통해 리더십을 유지한다는 전략이다. 이 기술은 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층 할 수 있는 칩 제어 기술이 적용됐다. 게다가 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상됐다.
그는 기술 개발 이유에 대해 “12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다”며 “기존 MR-MUF 방식으로는 12단 HBM3의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상 등을 다루기 쉽지 않았다”고 강조했다. 그러면서 “SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획”이라고 덧붙였다.
이 부사장은 시장 1위 자리 유지를 위해 고객과 긴밀한 소통을 이어가겠다는 뜻도 공개했다..
이 부사장은 “SK하이닉스가 HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문”이라며 “패키징 개발 조직에서도 고객과 이해관계자의 니즈(Needs)를 빠르게 파악해 제품 특성에 반영하고 있다”고 설명했다. 이어 “제 모토인 ‘Feel Together, Move Vigilantly(함께 느끼고, 기민하게 대응하자)’를 구성원들과 공유하며 SK하이닉스 패키징의 미래를 준비해 나가겠다”고 덧붙였다.
전화평 기자 peace201@viva100.com 기자의 다른기사보기 >
